Alcatel601E

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应用于存储器领域的自动深度蚀刻设备，高蚀刻速率，使用100至200毫米硅片。使用Bosch工艺流程的ICP等离子源（交替使用SF6蚀刻瓦斯和C4F8钝化）以及一个2千瓦的Rf源。生产用空间为直径400毫米*高245毫米，使用AlcatelATH1300真空泵。夹住硅片的夹具允许在蚀刻时使用一个500瓦LF50-460KHZ的Rf源对硅片背部冷却。一个传送模块可以装填和卸载在真空状态下处理硅片时产生的残余物。瓦斯控制面板包括6单元的MFC。Sofie Digilem 550型激光干涉终点探测器， Alcatel ADP122P型干燥泵，Alcatel ACP 20 干燥真空泵用于加载固定， Lauda 冷却水循环器用于底层的固定器。还包括208/220伏/3相27千瓦输入、400伏输出的变压器。Alcatel已将设备全部翻新，包括新的等离子屏及125毫米和100毫米的套具。

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