拉曼高功率激光器 XTRA II

参考信息

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高功率单频OEM半导体激光器 - XTRAⅡ

产品特点：

? 典型线宽<10MHz

? 理想的拉曼光谱光源

? 输出功率可达500mW@785nm

? 可实现光纤耦合选项

? AES抑制比>40dB

产品主要主要参数：

波长	785 nm
功率（自由空间）	可达500 mW
长期功率漂移(10 h)	< 5 %
光谱线宽（典型值）	< 10 MHz
ASE抑制比（典型值）	> 40 dB
长期频率漂移(10 h)	< 1 cm-1 / 30 GHz
光隔离器	35 dB / 60 dB (可选)
空间模式	TEM00, M2 < 1.7
光斑直径(典型 @ 1/e2)	2.2 mm
发散角（典型值）	< 1 mrad
光纤耦合效率（典型值）	50 %
聚焦度	< 1 μm (取决于光学系统)
偏振度	典型值500:1，线偏振， 45° clockwise with respect to base plate
工作电压	90 – 260 VAC
工作环境温度范围	15..35 °C
激光头尺寸(L x W x H)	270 x 122 x 85 mm3

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