波长扫描时式 多入射角光谱椭偏仪 ESS03

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性能特点如下：ES0S3是针对科研和工业环境中薄膜测量*域推出的波长扫描式**度多入射角光谱椭偏仪，此系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见、近红外、到远红外。
ESS03**宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现*光谱分辨的椭偏测量。
ESS03系列多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，膜层厚度、表面微粗糙度等）和光学参数（如，折射率n、消光系数k、复介电常数ε等），也可用于测量块状材料的光学参数。

*宽的光谱范围：
**宽光谱光源、宽光谱扫描德系统光学设计，保证了仪器在*宽的光谱范围下都具有*准确度，非常适合于对光谱范围要求*其严格的场合。
灵活的测量设置：
仪器的多个关键参数可根据要求而设定（包括：波长范围、扫描步距、入射角度等），*大地提*了测量的灵活性，可以胜任要求苛刻的样品。
原子层量*的检测灵敏度：
*际**的采样方法、*稳定的核心器件、*质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量*地纳米薄膜，膜厚*度达到0.05nm。
非常经济的技术方案：
**较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现*光谱分辨的椭偏测量，仪器整体成本得到有*降低。
*应用*域：ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。
ESS03适合很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体地临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量*到10微米左右）。
ESS03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用*域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、*学、电*学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。
薄膜相关应用涉及物理、*学、信息、环保等，典型应用如：
半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、*分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二*管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）；
平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；
功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及*分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；
生物和*学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜**、表面改性处理、液体等。
节能环保*域：LOW-E玻璃等。
ESS03系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用*域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括：
玻璃新品研发和质量控制等。

技术参数：项目 技术指标
光谱范围 ESS03VI：370-1700nm
ESS03UI：245-1700nm
光谱分辨率（nm） 可设置
入射角度 40°-90°手动**，步距5，重复性0.02
准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° 
（透射模式测空气时）
膜厚测量重复性（1） 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
折射率n测量重复性（1） 0.001 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
单次测量时间 典型0.6s / Wavelength / Point（取决于测量模式）
光学结构 PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有**的准确度）
可测量样品*大尺寸 直径200 mm
样品方位调整 *度**范围：10mm
二维俯仰**：±4°
样品对准 光学自准直显微和望远对准系统
软件 ?多语言界面切换
?预设项目供快捷操作使用
?**的权限管理模式（管理员、操作员）
?方便的材料数据库以及多种色散模型库
?丰富的模型数据库
选配件 自动扫描样品台
聚焦透镜
注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同*点、同*条件下连续测量30次所计算的标准差。

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