离子研磨仪/氩离子抛光仪 SC-1000

参考信息

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性能特点如下：专为SEM应用设计的高质量样品制备
通过斜坡切割离子减薄方式制备SEM截面样品
对传统SEM及EBSD样品的终抛光及终清洁
用高能离子枪进行快速减薄
用低能离子枪对样品表面进行温和抛光和清洁
自动参数设置和操作
样品台具有旋转及振荡功能
具有高精度定位的专用样品制备
通过高分辨CCD相机和TFT监视器，实时监控减薄过程

当今高端扫描电镜研究需要高质量、样品表面完好无损、具有真实微观结构（无人造产物）的SEM样品。欧洲Technoorg公司*新设计的SC-1000型SEM样品制备系统，采用成熟的离子束减薄技术制造，所处理的样品表面能完全满足这些要求。 SC-1000配置了高能和低能离子源。用高能离子枪对样品进行快速斜坡切割，随后用低能离子枪进行温和的表面清洁，这样处理过的SEM截面样品可用于半导体失效分析和其它分析用途。此系统也提供离子减薄方案，用来改善和清洁机械抛光处理过的SEM样品和制备表面无损坏的EBSD样品。

技术参数：离子源： 两只离子枪；聚焦高能离子枪，能量范围2keV to 10keV；聚焦低能离子枪，能量范围100eV to 2keV
连续和独立可调减薄能量；束流密度： *大240mA/cm2（聚焦高能离子枪）；*大10mA/cm2（聚焦低能离子枪）
溅射速率： 180 μm/h（Si at 30o， 聚焦高能离子枪）；28 μm/h（Si at 30o， 聚焦低能离子枪）
样品台： 样品尺寸： 斜坡切割样品座：*大20mm x 20mm x 4mm；用于EBSD表面清洁的样品座：*大?25mm x 15mm；样品定位： 高精度样品定位（斜坡切割）：精度<2 μm；样品倾斜： 0° to 30°；样品旋转： 平面转动360°；样品振荡： 平面振荡+10° to 45°
真空系统： 无油隔膜泵加涡轮分子泵，复合真空计（皮拉尼/潘宁）
气体供给： 99.999%高纯氩气，带有电动针阀的高精度工作气流控制
成像系统： 高分辨率CCD相机，带有手动变焦镜头，放大倍数50-400x
电脑控制： 易使用图形用户界面，带有可选的图像处理模块，自动设置离子源、减薄参数及操作控制

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