精密离子减薄仪 IV3/IV4

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性能特点如下：欧洲Technoorg Linda公司出品的IV3及IV4离子减薄仪，为顶*的TEM（透射电镜）、XTEM（剖面、横截面透射显微镜）及FIB（聚焦离子束）样品制备设备之*，适用于带有特殊制备要求的材料的*质量样品制备。该离子减薄仪的设计允许自由变换离子源参数，以及提供多种离子源组合。特定配置的减薄仪可在同*个腔室中进行快速离子减薄及*终抛光，无需移动样品。我们提供的离子减薄仪，可让用户开展新材料和样品制备新方法研究及对样品制备过程进行完全控制。
注：常规的离子减薄仪离子源能量较大，易**样品的微观结构，而且很难看到材料真实的自然状态下的纳米结构；因此，**低能离子源，在有*避免样品的微观结构被损伤的基础上，大大提*了电镜图片的清晰度，进而可以更为清楚的将材料自然状态下的微观结构展现出来。

*主要特点优点：离子源具有多种组合方案： IV3和IV4基本配置**两个*立水冷并分别控制的*能离子源（操作范围：2 to 10 keV）。离子枪枪座的*特设计使得在真空中机动*用离子枪成为可能，并且可从0到90度范围内设置任意减薄角度，提供了*大限度的灵活性及排*离子束减薄中的低角度阴影的可能性。IV3和IV4中的双束调制系统可在样品两侧以不同的加速电压同时进行减薄。 
在旋转到1/2时，离子束调制关闭束流，或者来回摆动机构来减少热敏样品的温度。离子束视场调整是由钛样品托的荧光特性来辅助实现。在IV3及IV4基本配置中的离子源是水冷的TELETWIN离子枪，用Ar离子，在2–10 keV能量范围内工作。可选用*个聚焦*能离子枪（2 to 10 keV）来替代，以达到*减薄速率（>350 μm/h）；或选用*个低能热阴*聚焦离子枪（100 to 2000 eV），它能确保清洁的样品表面没有无定形现象。对IV3和IV4，都可组合不同的离子源。
当*个离子源选用*能离子源另*个离子源选用低能热阴*聚焦离子枪时，可实现在同*设备中既有*减薄速率又有终抛光性能
*特的减速场操作：减速场*行方式为IV3及IV4的标准特点，这种扩展功能可**优*溅射及低角度轰击时的离子阴影。减速场在0到2.5keV范围时，入射离子束被弯曲扫过样品表面。这种方法也**了由于切线入射而产生的优*刻蚀。
可选反应离子减薄、液氮冷台及离子束斜坡切割：IV3及IV4中可选几种其它附件，以便拓展我们的离子减薄仪中制备的材料范围。*学辅助反应离子轰击大幅减少了常规溅射。在*合物半导体如GaAs中，氩离子减薄会导致形成合成产物。IV3和IV4**碘作为*学活性离子，用于无合成产物的样品制备。IV3及IV4的标准样品托可选配液氮冷却装置，这样可减少在低角度离子轰击期间对样品的过热现象。因而，对热敏材料制备时，不会影响其内部结构。带有可选Hauffe（豪费）样品托的IV3及IV4在SEM应用时，也可进行离子束斜坡切割。在离子减薄仪中能切割厚达5mm的样品。
样品交换：IV4中配有气锁样品交换系统，可保证清洁的减薄环境，减少样品污染及支持快速制样的应用
超大薄区：IV3和IV4的*特设计可制备超大（> 100 μm2）的TEM可穿透薄区面积

技术参数：离子能量：0.1~10keV 
离子束减薄样品角度：0~90度 
样品*大减薄速率：350um/h
超大TEM样品薄区面积：>100um*100um
注：上述主要参数随仪器的配置变*而有所不同

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